SiC korkeajännite SBD

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) on korkean teknologian yritys, joka on erikoistunut puhelintarvikkeiden tuotantoon ja myyntiin. Päätuotteitamme ovat matkalaturit, autolaturit, USB-kaapelit, virtapankit ja muut digitaaliset tuotteet. Kaikki tuotteet ovat turvallisia ja luotettavia, ja niissä on ainutlaatuiset tyylit. Tuotteet läpäisevät sertifikaatit, kuten CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick jne. , Jos olet kiinnostunut, voit ottaa suoraan yhteyttä ceo@schitec.com.

Pysy latauksessa turvallisesti SCitecin avulla

SiC korkeajännite SBD

Koska Si:n ja GaA:n estekorkeus ja kriittinen sähkökenttä ovat alhaisemmat kuin laajakaistaisen puolijohteen, Si:stä ja GaA:sta valmistetun SBD:n läpilyöntijännite ja käänteisvuotovirta ovat pienempiä ja suurempia. Piikarbidimateriaalilla (SIC) on laaja kaistaväli (2,2 ev-3, 2 ev), suuri kriittinen läpilyöntisähkökenttä (2 V / cm-4 × 106 v / cm), korkea kyllästysnopeus (2 × 107cm / s), korkea lämmönjohtavuus 4,9w / (cm · K), vahva kemiallinen korroosionkestävyys, korkea kovuus ja suhteellisen kypsä materiaalin valmistus- ja valmistusprosessi. Se on ihanteellinen uusi materiaali SBD:n valmistukseen, jolla on korkea jännitevastus, pieni eteenpäin menevä jännitehäviö ja korkea kytkentänopeus.

Vuonna 1999 Purduen yliopisto Yhdysvalloissa kehitti 4,9 kv SiC Power SBD:n Yhdysvaltain laivaston rahoittamassa Muri-projektissa, joka teki perustavanlaatuisen läpimurron SBD:n jännitteenkestävyydessä. SBD:n jännitehäviö ja käänteinen vuotovirta vaikuttavat suoraan tehohäviöön. SBD-tasasuuntaajan ja järjestelmän tehokkuuden. On ristiriitaista, että alhainen myötäjännite vaatii alhaisen Schottky-puomikorkeuden ja korkea päinvastainen läpilyöntijännite mahdollisimman korkeaa estekorkeutta. Siksi sulkumetallin valinta on erittäin tärkeä, koska sitä on pidettävä kompromissina. Ni ja Ti ovat ihanteellisia Schottky-sulkumetalleja n-tyypin piikarbidille. Koska Ni/SiC:n sulkukorkeus on korkeampi kuin Ti/SiC:n, ensimmäisellä on pienempi käänteisvuotovirta ja jälkimmäisellä pienempi eteenpäin suunnattu jännitehäviö. Jotta saataisiin sicsbd matalalla myötäjännitteellä ja käänteisellä vuotovirralla, on mahdollista suunnitella sicsbd, jossa on Ni- ja Ti-kosketin ja korkea/matala esteinen bimetalliura (DMT) rakenne. Tällä rakenteella sicsbd:n käänteisvuotovirta on 75 kertaa pienempi kuin tasomaisen Ti Schottky -tasasuuntaajan 300 V:n käänteisesijännitteellä, ja myötäsuuntainen vuotovirta on samanlainen kuin nisbd:n. Käytettäessä 6h sicsbd suojarenkaalla läpilyöntijännite on jopa 550V.

Raporttien mukaan cmzetterling et ai. Epitaksittiin 10 μm n-tyypin kerros 6 h SiC-substraatille ja muodostettiin sitten sarja rinnakkaisia ​​P + -liuskoja ioni-istutuksella. Yläsuojametalli on ti. Tämä rakenne on samanlainen kuin kuvan 2 risteyssulku Schottky (JBS) -laitteessa. Eteenpäin suuntautuvat ominaisuudet ovat samat kuin Ti Schottky -esteen, ja käänteinen vuotovirta on PN:n ja Ti Schottky -sulun välillä. 20 m Ω· cm2, estojännite on 1,1 kV ja vuotovirran tiheys on 10 μA / cm2 200 V:n käänteisessä esijännitteessä. Lisäksi R. rayhunathon raportoi p-tyypin 4H? Sicsbd ja 6h? Sicsbd. P-tyypin 4h-sicsbd:n ja 6h-sicsbd:n, joissa Ti on metalliesteenä, käänteinen läpilyöntijännite on 600 V ja 540 V, ja vuotovirran tiheys 100 V:n käänteisellä esijännityksellä on alle 0,1 μA / cm2 (25 astetta).

SiC on ihanteellinen materiaali tehopuolijohdelaitteiden valmistukseen. 4. toukokuuta 2000 yhdysvaltalainen Cree ja japanilainen Kansai Electric Power Company ilmoittivat yhdessä 12,3 kv:n SiC-tehodiodien menestyksekkäästä kehittämisestä, jossa VF:n myötäjännitehäviö on 4,9 V virrantiheydellä 100 A/cm2. Tämä osoittaa täysin piikarbidimateriaalin suuren tehon tehodiodien valmistuksessa.

SBD:ssä SiC- ja JBS-rakenteisilla laitteilla on suuri kehityspotentiaali. Korkeajännitteisten tehodiodien alalla SBD on ehdottomasti käytössä.