Transistorin rakenteen tyyppi
Nov 02, 2019| Pysy latautumassa turvallisesti SCitecin avulla
Transistorin rakenteen tyyppi
Transistori on valmistettu kahdesta lähekkäin sijaitsevasta PN-liitoksesta puolijohdesubstraatilla. Kaksi PN-liitosta jakavat monoliittisen puolijohteen kolmeen osaan, keskiosa on kanta-alue ja kaksi sivua ovat emitterialue ja kollektorialue. PNP ja NPN.
Vastaavat elektrodit otetaan kolmelta alueelta, jotka ovat vastaavasti kanta b emitteri e ja kollektori c.
Emitterialueen ja kantaalueen välistä PN-liitosta kutsutaan emitteriliitokseksi, ja kollektorialueen ja kantaalueen välistä PN-liitosta kutsutaan kollektoriliitokseksi. Perusalue on hyvin ohut ja emitterialue paksu ja epäpuhtauspitoisuus suuri. PNP-tyyppinen triodiemitterialue "säteilee" reikien avulla, ja sen liikesuunta on yhdenmukainen virran suunnan kanssa, joten emitterin nuoli on sisäänpäin; NPN-tyyppinen transistorin emitterialue "käynnistetään". "Vapaat elektronit liikkuvat virran vastakkaiseen suuntaan, joten emitterin nuoli on ulospäin. Emitterinuoli osoittaa PN-liitoksen johtumissuuntaan myötäjännitteellä. Sekä piitransistorilla että germaniumtransistorilla on sekä PNP-tyyppinen että NPN tyyppi.
Transistoripakkauslomake ja pin-tunnistus
Yleisesti käytetyt triodit ovat saatavilla metalli- ja muovipakkauksissa. Tappien järjestelyllä on tietty kuvio.
Pohjanäkymä asetetaan siten, että kolme tappia muodostavat tasakylkisen kolmion huipun, joka on ebc vasemmalta oikealle; pienen ja keskitehoisen muovitriodin osalta taso osoittaa itseään päin ja kolme tappia alaspäin, sitten vasemmalta Oikealle on ebc.
Maassa on monenlaisia kristallitriodeja, ja nastojen järjestely ei ole sama. Käytettäessä triodeja, joihin nastat on sijoitettu, on mittaus suoritettava kunkin nastan oikean sijainnin selvittämiseksi tai triodin selventämiseksi löytyy transistorin käsikirja. Ominaisuudet ja vastaavat tekniset parametrit ja tiedot.


