Mitä GAN-tekniikka on latureille?
Dec 15, 2021| Yksinkertaisesti,pieni runko suurella teholla.
Galliumnitridi (GaN) -laturit saivat suuren suosion International Consumer Electronics Show'ssa, ja tämä moderni piivaihtoehto tarkoittaa sitä, että markkinoille on tulossa pienempiä, tehokkaampia latureita ja virtalähteitä.
GaN-laturit ovat fyysisesti pienempiä kuin nykyiset laturit, koska GaN-laturit eivät vaadi vähemmän komponentteja kuin piilaturit. Tämä materiaali voi johtaa paljon suurempia jännitteitä kuin pii. GaN-laturit eivät ainoastaan siirrä virtaa tehokkaammin, vaan ne myös tarkoittavat, että lämmölle menetetään vähemmän energiaa. Siksi, kun komponentit siirtävät energiaa tehokkaammin laitteeseen, tarvitaan yleensä vähemmän komponentteja. Tämän seurauksena tekniikan yleisen suosion myötä GaN-virtalähteitä ja latureita vähennetään merkittävästi. On muitakin etuja, kuten korkeampi kytkentätaajuus voi saavuttaa nopeamman langattoman tehonsiirron.
Galliumnitridi on puolijohdemateriaali, joka nousi huomion kohteeksi 1990-luvulla LEDien valmistuksessa. GaN:n avulla luotiin ensimmäiset valkoiset LEDit, siniset laserit ja täysväriset LED-näytöt, joita voidaan nähdä päivän aikana. Blu-ray-DVD-soittimissa GaN tuottaa sinistä valoa, joka lukee tietoja DVD-levyltä.
Näyttää siltä, että GaN korvaa piin pian monilla alueilla. Piin valmistajat ovat työskennelleet väsymättä vuosikymmeniä parantaakseen piipohjaisia transistoreita. Mooren lain mukaan integroiduissa piipiireissä olevien transistorien määrä kaksinkertaistuu noin kahden vuoden välein. Tämä havainto tehtiin vuonna 1965, ja se on ollut periaatteessa oikea viimeiset 50 vuotta. Kuitenkin vuonna 2010 puolijohdeteknologian kehitys putosi ensimmäistä kertaa tämän nopeuden alapuolelle. Monet analyytikot (ja Moore itse) ennustavat, että vuoteen 2025 mennessä Mooren laki on vanhentunut.
GaN-transistoreiden tuotanto kasvoi vuonna 2006. Valmistusprosessin parantuminen mahdollistaa sen, että GaN-transistorit voidaan valmistaa samantyyppisissä laitteissa kuin piitä. Tämä voi vähentää kustannuksia ja kannustaa useampia piinvalmistajia käyttämään GaN:ää transistorien valmistukseen.