Miksi galliumnitridi on parempi kuin pii?

Piihin verrattuna GaN:n etu on virrantehokkuus. Kuten GaN Systems, ammattimainen galliumnitridin valmistaja, selitti:

"Kaikissa puolijohdemateriaaleissa on ns. kaistaväli. Tämä on energia-alue, jolla kiinteässä aineessa ei voi olla elektroneja. Lyhyesti sanottuna kaistaväli liittyy kiinteän materiaalin sähkönjohtavuuteen. Galliumnitridin kaistaväli on 3,4 eV, kun taas piin on 1,12 eV. Galliumnitridillä on leveämpi kaistaväli, mikä tarkoittaa, että se kestää korkeampia jännitteitä ja korkeampia lämpötiloja kuin piin."

Toinen GaN-valmistaja, Efficient Power Conversion Corporation, sanoi, että GaN:n elektronien ohjausteho on 1,000 kertaa piin ja sen valmistuskustannukset ovat alhaisemmat.

Korkeampi kaistavälin tehokkuus tarkoittaa, että virta voi kulkea GaN-sirujen läpi nopeammin kuin piisirut, mikä voi johtaa nopeampaan prosessointitehoon tulevaisuudessa. Lyhyesti sanottuna GaN-sirut ovat nopeampia, pienempiä, energiatehokkaampia ja (lopulta) halvempia kuin piistä tehdyt sirut.

On ennakoitavissa, että monia GaN-latureita ei välttämättä näe helposti ennen kuin suuret laitevalmistajat (kuten Apple ja Samsung) alkavat sisällyttää niitä uusiin tietokoneisiin ja älypuhelimiin.